11月9日消息 日本东芝周二(11月9日)表示，已在美国和日本对韩国Hynix半导体提出诉讼，称后者侵犯内存芯片相关专利。

　　东芝称，该公司周一在东京地方法院，就NAND型闪存专利侵权提出诉讼。东芝与韩国三星电子为NAND型内存市场的领导者。

　　东芝还在美国就七项专利侵权提出诉讼，其中有三项与DRAM芯片相关，另有四项与NAND型芯片相关。由于数码相机及照相手机的需求畅旺，因此NAND型芯片市场呈现强劲成长。